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型号 IRFB31N20DPBF
厂商 International Rectifier
描述 MOSFET N-CH 200V 31A TO-220AB
IRFB31N20DPBF PDF
代理商 IRFB31N20DPBF
产品目录绘图 IR Hexfet TO-220AB
标准包装 50
系列 HEXFET®
FET 型 MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点 标准
漏极至源极电压(Vdss) 200V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 31A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C 82 毫欧 @ 18A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大） 5.5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 107nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds 2370pF @ 25V
功率 - 最大 3.1W
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-220-3
供应商设备封装 TO-220AB
包装 管件
产品目录页面 1518 (CN2011-ZH PDF)
其它名称 *IRFB31N20DPBF
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